6 tuuman piikarbidi 4H-SiC puolieristävä harkko, testilaatu
Ominaisuudet
1. Fysikaaliset ja rakenteelliset ominaisuudet
●Materiaalityyppi: Piikarbidi (SiC)
●Polytyyppi: 4H-SiC, kuusikulmainen kiderakenne
●Halkaisija: 150 mm (6 tuumaa)
● Paksuus: Konfiguroitavissa (5–15 mm tyypillisesti testimateriaalille)
●Kristallin suunta:
oEnsisijainen: [0001] (C-taso)
oToissijaiset vaihtoehdot: Off-axis 4° optimoitua epitaksiaalista kasvua varten
● Ensisijainen vaakasuunta: (10–10) ± 5°
●Toissijaisen tasopinnan suunta: 90° vastapäivään ensisijaisesta tasopinnasta ± 5°
2. Sähköiset ominaisuudet
●Ominaisuus:
oPuolieristävä (>106^66 Ω·cm), ihanteellinen loiskapasitanssin minimoimiseen.
●Dopingin tyyppi:
Tahattomasti seostettu, mikä johtaa korkeaan sähköiseen resistiivisyyteen ja vakauteen useissa käyttöolosuhteissa.
3. Lämpöominaisuudet
●Lämmönjohtavuus: 3,5–4,9 W/cm·K, mikä mahdollistaa tehokkaan lämmönpoiston suuritehoisissa järjestelmissä.
●Lämpölaajenemiskerroin: 4,2 × 10−64,2 × 10^{-6}4,2 × 10−6/K, mikä varmistaa mittapysyvyyden korkean lämpötilan käsittelyn aikana.
4. Optiset ominaisuudet
●Kaistanleveys: Leveä 3,26 eV:n kaistanleveys, joka mahdollistaa toiminnan korkeissa jännitteissä ja lämpötiloissa.
●Läpinäkyvyys: Erinomainen läpinäkyvyys UV- ja näkyvillä aallonpituuksilla, hyödyllinen optoelektronisessa testauksessa.
5. Mekaaniset ominaisuudet
●Kovuus: Mohsin asteikko 9, toiseksi paras timantin jälkeen, mikä varmistaa kestävyyden prosessoinnin aikana.
●Virhetiheys:
o Kontrolloitu minimaalisten makrovirheiden varalta, mikä varmistaa riittävän laadun simuloituihin sovelluksiin.
● Tasaisuus: Yhdenmukaisuus poikkeamilla
| Parametri | Tiedot | Yksikkö |
| Luokka | Nuken luokka | |
| Halkaisija | 150,0 ± 0,5 | mm |
| Kiekkojen suunta | Akselin suhteen: <0001> ± 0,5° | tutkinto |
| Sähköresistiivisyys | > 1E5 | Ω·cm |
| Ensisijainen tasainen suunta | {10–10} ± 5,0° | tutkinto |
| Ensisijainen tasainen pituus | Lovi | |
| Halkeamat (suurtehovalolla tarkastus) | < 3 mm säteittäin | mm |
| Kuusikulmaiset levyt (suurtehovalojen tarkastus) | Kumulatiivinen pinta-ala ≤ 5 % | % |
| Polytyyppialueet (suurtehovalojen tarkastus) | Kumulatiivinen pinta-ala ≤ 10 % | % |
| Mikroputken tiheys | < 50 | cm−2^-2−2 |
| Reunojen haketus | 3 sallittu, kukin ≤ 3 mm | mm |
| Huomautus | Leikkauskiekon paksuus < 1 mm, > 70 % (pois lukien kaksi päätä) täyttää yllä olevat vaatimukset |
Sovellukset
1. Prototyyppien luominen ja tutkimus
Kuuden tuuman (6 tuuman) mallilaatuinen 4H-SiC-harkko on ihanteellinen materiaali prototyyppien valmistukseen ja tutkimukseen, minkä ansiosta valmistajat ja laboratoriot voivat:
● Testaa prosessiparametrit kemiallisessa höyrypinnoituksessa (CVD) tai fysikaalisessa höyrypinnoituksessa (PVD).
● Kehitä ja tarkenna etsaus-, kiillotus- ja kiekkojen viipalointitekniikoita.
● Tutustu uusiin laitemalleihin ennen siirtymistä tuotantolaatuiseen materiaaliin.
2. Laitteen kalibrointi ja testaus
Puolieristävät ominaisuudet tekevät tästä harkosta korvaamattoman:
●Suurtehoisten ja suurtaajuuslaitteiden sähköisten ominaisuuksien arviointi ja kalibrointi.
● MOSFETien, IGBT:iden tai diodien toimintaolosuhteiden simulointi testiympäristöissä.
●Toimii kustannustehokkaana korvikkeena erittäin puhtaille substraateille varhaisen kehitysvaiheen aikana.
3. Tehoelektroniikka
4H-SiC:n korkea lämmönjohtavuus ja laaja kaistavyön ominaisuudet mahdollistavat tehokkaan toiminnan tehoelektroniikassa, mukaan lukien:
● Korkeajännitteiset virtalähteet.
●Sähköajoneuvojen (EV) invertterit.
●Uusiutuvan energian järjestelmät, kuten aurinkoinvertterit ja tuuliturbiinit.
4. Radiotaajuussovellukset (RF)
4H-SiC:n pienet dielektriset häviöt ja korkea elektronien liikkuvuus tekevät siitä sopivan:
●RF-vahvistimet ja transistorit tietoliikenneinfrastruktuurissa.
● Korkeataajuiset tutkajärjestelmät ilmailu- ja puolustussovelluksiin.
● Langattomien verkkojen komponentit uusille 5G-teknologioille.
5. Säteilyä kestävät laitteet
Säteilyn aiheuttamien vikojen luonnollisen kestävyytensä ansiosta puolieristävä 4H-SiC sopii erinomaisesti:
● Avaruustutkimuslaitteet, mukaan lukien satelliittien elektroniikka ja sähköjärjestelmät.
●Säteilyä kestävä elektroniikka ydinvoiman valvontaan ja ohjaukseen.
● Puolustussovellukset, jotka vaativat kestävyyttä äärimmäisissä olosuhteissa.
6. Optoelektroniikka
4H-SiC:n optinen läpinäkyvyys ja laaja kaistavyö mahdollistavat sen käytön:
●UV-valoilmaisimet ja tehokkaat LEDit.
●Optisten pinnoitteiden ja pintakäsittelyjen testaus.
●Edistyneiden antureiden optisten komponenttien prototyyppien valmistus.
Dummy-luokan materiaalin edut
Kustannustehokkuus:
Testilaatu on edullisempi vaihtoehto tutkimus- tai tuotantolaatuisille materiaaleille, joten se sopii erinomaisesti rutiinitestaukseen ja prosessien parantamiseen.
Mukautettavuus:
Konfiguroitavat mitat ja kidesuunnat takaavat yhteensopivuuden monenlaisten sovellusten kanssa.
Skaalautuvuus:
6 tuuman halkaisija on alan standardien mukainen, mikä mahdollistaa saumattoman skaalautumisen tuotantoluokan prosesseihin.
Kestävyys:
Korkea mekaaninen lujuus ja terminen stabiilius tekevät valanteesta kestävän ja luotettavan vaihtelevissa koeolosuhteissa.
Monipuolisuus:
Sopii useille toimialoille energiajärjestelmistä tietoliikenteeseen ja optoelektroniikkaan.
Johtopäätös
6-tuumainen piikarbidista (4H-SiC) valmistettu puolieristävä valanne, joka on testilaatua, tarjoaa luotettavan ja monipuolisen alustan tutkimukseen, prototyyppien valmistukseen ja testaukseen huipputeknologian aloilla. Sen poikkeukselliset lämpö-, sähkö- ja mekaaniset ominaisuudet yhdistettynä edullisuuteen ja mukautettavuuteen tekevät siitä välttämättömän materiaalin sekä akateemiselle maailmalle että teollisuudelle. Tehoelektroniikasta radiotaajuusjärjestelmiin ja säteilyä kestäviin laitteisiin, tämä valanne tukee innovaatioita kaikissa kehitysvaiheissa.
Jos haluat tarkempia tietoja tai pyytää tarjouksen, ota meihin suoraan yhteyttä. Tekninen tiimimme on valmiina auttamaan räätälöidyillä ratkaisuilla tarpeidesi täyttämiseksi.
Yksityiskohtainen kaavio
