Piikarbidin piikarbidiharkon 6 tuuman N-tyypin nuken/prime-laadun paksuus voidaan räätälöidä

Piikarbidin piikarbidin harkon 6 tuuman N-tyyppinen dummy/prime-laadun paksuus voidaan räätälöidä Suositeltu kuva

Lyhyt kuvaus:

Piikarbidi (SiC) on laajakaistainen puolijohdemateriaali, joka on saavuttamassa merkittävää pitoa useilla teollisuudenaloilla erinomaisten sähköisten, termisten ja mekaanisten ominaisuuksiensa ansiosta. 6 tuuman N-tyypin Dummy/Prime-laatuinen SiC Harkikko on suunniteltu erityisesti kehittyneiden puolijohdelaitteiden tuotantoon, mukaan lukien suuritehoiset ja korkeataajuiset sovellukset. Mukautettavien paksuusvaihtoehtojen ja tarkkojen eritelmien ansiosta tämä piikarbidiharkko tarjoaa ihanteellisen ratkaisun sähköajoneuvoissa, teollisuuden sähköjärjestelmissä, televiestinnässä ja muilla korkean suorituskyvyn aloilla käytettävien laitteiden kehittämiseen. SiC:n kestävyys korkeajännite-, korkean lämpötilan ja korkean taajuuden olosuhteissa takaa pitkäkestoisen, tehokkaan ja luotettavan suorituskyvyn monissa sovelluksissa.
Piikarbidiharkko on saatavana 6 tuuman koossa, jonka halkaisija on 150,25 mm ± 0,25 mm ja paksuus yli 10 mm, joten se sopii ihanteellisesti kiekkojen leikkaamiseen. Tämä tuote tarjoaa tarkasti määritellyn pinnan suunnan 4° kohti <11-20> ± 0,2°, mikä varmistaa laitteen valmistuksen suuren tarkkuuden. Lisäksi harkon ensisijainen litteä suuntaus on <1-100> ± 5°, mikä edistää optimaalista kiteiden kohdistusta ja käsittelytehoa.
Korkealla resistiivisyydellä alueella 0,015–0,0285 Ω·cm, alhaisella mikroputken tiheydellä <0,5 ja erinomaisella reunanlaadulla tämä SiC Valanko soveltuu sellaisten teholaitteiden valmistukseen, jotka vaativat minimaalisia vikoja ja korkeaa suorituskykyä äärimmäisissä olosuhteissa.

Lähetä meille sähköpostia

Tuotetiedot

Tuotetunnisteet

Ominaisuudet

Arvosana: tuotantoluokka (nukke/prime)
Koko: halkaisija 6 tuumaa
Halkaisija: 150,25 mm ± 0,25 mm
Paksuus: >10mm (muokattava paksuus saatavilla pyynnöstä)
Pinnan suunta: 4° kohti <11-20> ± 0,2°, mikä varmistaa korkean kidelaadun ja tarkan kohdistuksen laitteen valmistuksessa.
Primary Flat Orientation: <1-100> ± 5°, avainominaisuus harkon tehokkaassa viipaloimisessa kiekoiksi ja optimaalisen kiteen kasvun saavuttamiseksi.
Ensisijainen litteä pituus: 47,5 mm ± 1,5 mm, suunniteltu helppoa käsittelyä ja tarkkaa leikkaamista varten.
Resistiivisyys: 0,015–0,0285 Ω·cm, ihanteellinen sovelluksiin tehokkaissa teholaitteissa.
Mikroputken tiheys: <0,5, mikä varmistaa minimaaliset viat, jotka voivat vaikuttaa valmistettujen laitteiden suorituskykyyn.
BPD (Boron Pitting Density): <2000, pieni arvo, joka osoittaa korkeaa kidepuhtautta ja pientä virhetiheyttä.
TSD (Threading Screw Dislocation Density): <500, mikä takaa erinomaisen materiaalin eheyden korkean suorituskyvyn laitteille.
Polytyyppialueet: Ei mitään – harkossa ei ole polytyyppivirheitä, mikä tarjoaa erinomaisen materiaalilaadun huippuluokan sovelluksiin.
Reunasyvennykset: <3, leveys ja syvyys 1 mm, mikä varmistaa minimaalisen pintavaurion ja säilyttää harkon eheyden tehokkaan kiekkojen viipaloinnin takaamiseksi.
Reunahalkeamat: 3, kukin <1 mm, vähäisiä reunavaurioita, mikä varmistaa turvallisen käsittelyn ja jatkokäsittelyn.
Pakkaus: Kiekkokotelo – SiC-harkko on pakattu turvallisesti kiekkokoteloon turvallisen kuljetuksen ja käsittelyn varmistamiseksi.

Sovellukset

Tehoelektroniikka:6 tuuman piikarbidiharkkoa käytetään laajalti tehoelektroniikkalaitteiden, kuten MOSFETien, IGBT:iden ja diodien, valmistuksessa, jotka ovat olennaisia komponentteja tehonmuuntojärjestelmissä. Näitä laitteita käytetään laajasti sähköajoneuvojen (EV) inverttereissä, teollisuusmoottorikäytöissä, virtalähteissä ja energian varastointijärjestelmissä. SiC:n kyky toimia korkeilla jännitteillä, korkeilla taajuuksilla ja äärimmäisissä lämpötiloissa tekee siitä ihanteellisen sovelluksiin, joissa perinteiset pii (Si) -laitteet eivät toimisi tehokkaasti.

Sähköajoneuvot (EV:t):Sähköajoneuvoissa SiC-pohjaiset komponentit ovat ratkaisevan tärkeitä inverttereiden, DC-DC-muuntimien ja laturien tehomoduulien kehittämisessä. SiC:n ylivoimainen lämmönjohtavuus vähentää lämmöntuotantoa ja tehostaa tehon muuntamista, mikä on elintärkeää sähköajoneuvojen suorituskyvyn ja ajomatkan parantamiseksi. Lisäksi SiC-laitteet mahdollistavat pienempiä, kevyempiä ja luotettavampia komponentteja, mikä edistää sähköautojen yleistä suorituskykyä.

Uusiutuvat energiajärjestelmät:SiC-harkot ovat olennainen materiaali uusiutuvan energian järjestelmissä käytettävien tehonmuuntolaitteiden, mukaan lukien aurinkoinvertterien, tuuliturbiinien ja energian varastointiratkaisujen, kehittämisessä. SiC:n korkeat tehonkäsittelyominaisuudet ja tehokas lämmönhallinta mahdollistavat suuremman energian muunnostehokkuuden ja paremman luotettavuuden näissä järjestelmissä. Sen käyttö uusiutuvassa energiassa auttaa edistämään maailmanlaajuisia pyrkimyksiä kohti kestävää energiaa.

Tietoliikenne:6 tuuman SiC-harkko soveltuu myös suuritehoisissa RF-sovelluksissa (radiotaajuus) käytettävien komponenttien valmistukseen. Näitä ovat tietoliikenne- ja satelliittiviestintäjärjestelmissä käytettävät vahvistimet, oskillaattorit ja suodattimet. SiC:n kyky käsitellä korkeita taajuuksia ja suurta tehoa tekee siitä erinomaisen materiaalin tietoliikennelaitteille, jotka vaativat vankkaa suorituskykyä ja minimaalista signaalihäviötä.

Ilmailu ja puolustus:SiC:n korkea läpilyöntijännite ja korkeiden lämpötilojen kestävyys tekevät siitä ihanteellisen ilmailu- ja puolustussovelluksiin. SiC-harkista valmistettuja komponentteja käytetään tutkajärjestelmissä, satelliittiviestinnässä sekä lento- ja avaruusalusten tehoelektroniikassa. SiC-pohjaiset materiaalit mahdollistavat ilmailujärjestelmien toiminnan äärimmäisissä avaruus- ja korkeissa ympäristöissä.

Teollisuusautomaatio:Teollisuusautomaatiossa SiC-komponentteja käytetään antureissa, toimilaitteissa ja ohjausjärjestelmissä, joiden on toimittava ankarissa ympäristöissä. SiC-pohjaisia laitteita käytetään koneissa, jotka vaativat tehokkaita, pitkäikäisiä komponentteja, jotka kestävät korkeita lämpötiloja ja sähköisiä rasituksia.

Tuotteen tekniset tiedot

Omaisuus	Erittely
Luokka	Tuotanto (dummy/prime)
Koko	6-tuumainen
Halkaisija	150,25 mm ± 0,25 mm
Paksuus	>10mm (muokattavissa)
Pintasuuntaus	4° kohti <11-20> ± 0,2°
Ensisijainen tasainen suuntaus	<1-100> ± 5°
Ensisijainen litteä pituus	47,5 mm ± 1,5 mm
Resistanssi	0,015–0,0285 Ω·cm
Mikroputken tiheys	<0,5
Boorin pistetiheys (BPD)	<2000
Kierreruuvin dislokaatiotiheys (TSD)	<500
Polytyyppialueet	Ei mitään
Reunan sisennykset	<3, 1mm leveys ja syvyys
Reunahalkeamia	3, <1mm/ea
Pakkaus	Vohvelikotelo

Johtopäätös

6 tuuman SiC Harkikko – N-tyypin Dummy/Prime-laatu on ensiluokkainen materiaali, joka täyttää puolijohdeteollisuuden tiukat vaatimukset. Sen korkea lämmönjohtavuus, poikkeuksellinen resistanssi ja alhainen vikatiheys tekevät siitä erinomaisen valinnan edistyneiden tehoelektroniikkalaitteiden, autokomponenttien, tietoliikennejärjestelmien ja uusiutuvan energian järjestelmien tuotantoon. Muokattavat paksuus- ja tarkkuudet varmistavat, että tämä piikarbidiharkko voidaan räätälöidä monenlaisiin sovelluksiin, mikä takaa korkean suorituskyvyn ja luotettavuuden vaativissa ympäristöissä. Jos haluat lisätietoja tai tehdä tilauksen, ota yhteyttä myyntitiimiimme.