12 tuuman safiirikiekko suuren volyymin puolijohdevalmistukseen

Lyhyt kuvaus:

12-tuumainen safiirikiekko on suunniteltu vastaamaan kasvavaan kysyntään laaja-alaiselle ja tehokkaalle puolijohde- ja optoelektroniikan valmistukselle. Laitearkkitehtuurien skaalautuessa ja tuotantolinjojen siirtyessä kohti suurempia kiekkomuotoja, erittäin suuret halkaisijat omaavat safiirisubstraatit tarjoavat selkeitä etuja tuottavuudessa, saannon optimoinnissa ja kustannusten hallinnassa.

Lähetä meille sähköpostia

Ominaisuudet

Yksityiskohtainen kaavio

12 tuuman safiirikiekon esittely

12 tuuman safiirikiekkomme on valmistettu erittäin puhtaasta yksikiteisestä Al₂O₃-materiaalista, ja niissä yhdistyvät erinomainen mekaaninen lujuus, lämmönkestävyys ja pinnanlaatu. Optimoidun kiteenkasvun ja tarkan kiekkokäsittelyn ansiosta nämä alustat tarjoavat luotettavaa suorituskykyä edistyneissä LED-, GaN- ja erikoispuolijohdesovelluksissa.

Materiaaliominaisuudet

Safiiri (yksikiteinen alumiinioksidi, Al₂O₃) tunnetaan erinomaisista fysikaalisista ja kemiallisista ominaisuuksistaan. 12 tuuman safiirilevyt perivät kaikki safiirimateriaalin edut ja tarjoavat samalla paljon suuremman käyttöpinta-alan.

Tärkeimpiä materiaaliominaisuuksia ovat:

Erittäin korkea kovuus ja kulutuskestävyys
Erinomainen terminen stabiilius ja korkea sulamispiste
Erinomainen kemikaalienkestävyys happoja ja emäksiä vastaan
Korkea optinen läpinäkyvyys UV- ja IR-aallonpituuksilla
Erinomaiset sähköeristysominaisuudet

Näiden ominaisuuksien ansiosta 12 tuuman safiirikiekot soveltuvat vaativiin prosessointiympäristöihin ja korkean lämpötilan puolijohteiden valmistusprosesseihin.

Valmistusprosessi

12 tuuman safiirikiekkojen tuotanto vaatii edistyneitä kiteenkasvatus- ja erittäin tarkkoja prosessointitekniikoita. Tyypillinen valmistusprosessi sisältää:

Yksittäisten kiteiden kasvu
Korkean puhtauden safiirikiteitä kasvatetaan edistyneillä menetelmillä, kuten KY:llä tai muilla suuriläpimittaisilla kiteenkasvatustekniikoilla, mikä varmistaa kiteiden tasaisen orientaation ja alhaisen sisäisen jännityksen.
Kristallien muotoilu ja viipalointi
Safiiriharkko muotoillaan tarkasti ja leikataan 12 tuuman kiekoiksi käyttämällä erittäin tarkkoja leikkauslaitteita pinnan alla olevien vaurioiden minimoimiseksi.
Hionta ja kiillotus
Monivaiheista hiontaa ja kemiallis-mekaanista kiillotusta (CMP) käytetään erinomaisen pinnan karheuden, tasaisuuden ja paksuuden tasaisuuden saavuttamiseksi.
Puhdistus ja tarkastus
Jokainen 12 tuuman safiirikiekko puhdistetaan perusteellisesti ja tarkastetaan tarkasti, mukaan lukien pinnanlaatu, TTV-arvo, kaarevuus, vääntyminen ja vika-analyysi.

Sovellukset

12 tuuman safiirikiekkoja käytetään laajalti edistyneissä ja uusissa teknologioissa, mukaan lukien:

Suuritehoiset ja kirkkaat LED-alustat
GaN-pohjaiset teholaitteet ja RF-laitteet
Puolijohdelaitteiden kantaja ja eristävät alustat
Optiset ikkunat ja laaja-alaiset optiset komponentit
Edistykselliset puolijohdepakkaukset ja erikoisprosessikuljettimet

Suuri halkaisija mahdollistaa suuremman läpimenon ja paremman kustannustehokkuuden massatuotannossa.

12 tuuman safiirikiekkojen edut

Suurempi käyttöpinta-ala suuremmalle laiteteholle kiekkoa kohden
Parannettu prosessin johdonmukaisuus ja yhdenmukaisuus
Alennetut laitekohtaiset kustannukset suurtuotannossa
Erinomainen mekaaninen kestävyys suurten kokojen käsittelyyn
Mukautettavat tekniset tiedot eri sovelluksiin

Mukautusvaihtoehdot

Tarjoamme joustavia räätälöintimahdollisuuksia 12 tuuman safiirikiekoille, mukaan lukien:

Kiteen orientaatio (C-taso, A-taso, R-taso jne.)
Paksuuden ja halkaisijan toleranssi
Yksi- tai kaksipuolinen kiillotus
Reunaprofiili ja viistemuotoilu
Pinnan karheus- ja tasaisuusvaatimukset

Parametri	Tekniset tiedot	Muistiinpanoja
Kiekon halkaisija	12 tuumaa (300 mm)	Standardi suurihalkaisijainen kiekko
Materiaali	Yksikiteinen safiiri (Al₂O₃)	Erittäin puhdas, elektroninen/optinen laatu
Kristallin suuntautuminen	C-taso (0001), A-taso (11-20), R-taso (1-102)	Valinnaiset suunnat saatavilla
Paksuus	430–500 μm	Mukautettu paksuus saatavilla pyynnöstä
Paksuuden toleranssi	±10 μm	Tiukka toleranssi edistyneille laitteille
Kokonaispaksuuden vaihtelu (TTV)	≤10 μm	Varmistaa tasaisen käsittelyn kiekon läpi
Keula	≤50 μm	Mitattu koko kiekon alueelta
Loimi	≤50 μm	Mitattu koko kiekon alueelta
Pinnan viimeistely	Yksipuolisesti kiillotettu (SSP) / Kaksipuolisesti kiillotettu (DSP)	Korkealaatuinen optinen pinta
Pinnan karheus (Ra)	≤0,5 nm (kiillotettu)	Atomitason sileys epitaksiaalista kasvua varten
Reunaprofiili	Viiste / Pyöristetty reuna	Estääkseen lohkeamisen käsittelyn aikana
Suuntaustarkkuus	±0,5°	Varmistaa epitaksiaalisen kerroksen asianmukaisen kasvun
Vika tiheys	<10 cm⁻²	Mitattu optisella tarkastuksella
Tasaisuus	≤2 μm / 100 mm	Varmistaa tasaisen litografian ja epitaksiaalisen kasvun
Puhtaus	Luokka 100 – Luokka 1000	Puhdastilayhteensopiva
Optinen siirto	>85 % (UV–IR)	Riippuu aallonpituudesta ja paksuudesta

12 tuuman safiirikiekkojen usein kysytyt kysymykset

K1: Mikä on 12 tuuman safiirikiekon vakiopaksuus?
A: Vakiopaksuus vaihtelee 430 μm:n ja 500 μm:n välillä. Asiakkaan vaatimusten mukaisesti voidaan valmistaa myös erikoispaksuuksia.

K2: Mitä kideorientaatioita on saatavilla 12 tuuman safiirikiekoille?
A: Tarjoamme C-tason (0001), A-tason (11–20) ja R-tason (1–102) suuntauksia. Muita suuntauksia voidaan mukauttaa laitteen tiettyjen vaatimusten mukaan.

K3: Mikä on kiekon kokonaispaksuuden vaihtelu (TTV)?
A: 12-tuumaisten safiirikiekkojemme TTV-arvo on tyypillisesti ≤10 μm, mikä varmistaa tasaisuuden koko kiekon pinnalla korkealaatuista laitevalmistusta varten.

Tietoa meistä

XKH on erikoistunut erikoisoptisten lasien ja uusien kristallimateriaalien korkean teknologian kehittämiseen, tuotantoon ja myyntiin. Tuotteemme palvelevat optista elektroniikkaa, kulutuselektroniikkaa ja sotilaskäyttöön. Tarjoamme safiirioptisia komponentteja, matkapuhelinten linssinsuojuksia, keraamia, LT-, piikarbidi-SIC-, kvartsi- ja puolijohdekidekiekkoja. Ammattitaitoisen asiantuntemuksen ja huippuluokan laitteiden avulla olemme erinomaisia epästandardien tuotteiden prosessoinnissa ja tavoitteenamme on olla johtava optoelektronisten materiaalien korkean teknologian yritys.