2 tuuman 50.8mm Sapphire Wafer C-Plane M-taso R-taso A-taso Paksuus 350um 430um 500um

2 tuuman 50,8 mm Sapphire Wafer C-taso M-taso R-taso A-taso Paksuus 350um 430um 500um Suositeltu kuva

Lyhyt kuvaus:

Safiiri on materiaali, jossa on ainutlaatuinen yhdistelmä fysikaalisia, kemiallisia ja optisia ominaisuuksia, jotka tekevät siitä kestävän korkeita lämpötiloja, lämpöshokkia, vesi- ja hiekkaeroosiota sekä naarmuuntumista.

Lähetä meille sähköpostia

Tuotetiedot

Tuotetunnisteet

Eri suuntausten määrittely

Suuntautuminen	C(0001)-akseli		R(1-102)-akseli		M(10-10) -akseli	A(11-20)-akseli
Fyysinen omaisuus	C-akselilla on kristallivaloa ja muilla akseleilla negatiivinen valo.Taso C on tasainen, mieluiten leikattu.		R-taso hieman kovempi kuin A.		M-taso on porrastettu sahalaitainen, ei helppo leikata, helppo leikata.	A-tason kovuus on huomattavasti korkeampi kuin C-tason, mikä ilmenee kulutuskestävyydessä, naarmuuntumisenkestävyydessä ja korkeassa kovuudessa;Sivu A-taso on siksak-taso, joka on helppo leikata;
Sovellukset	C-suuntautuneita safiirialustoja käytetään III-V- ja II-VI-pinnoitettujen kalvojen, kuten galliumnitridin, kasvattamiseen, joka voi tuottaa sinisiä LED-tuotteita, laserdiodeja ja infrapunailmaisinsovelluksia. Tämä johtuu pääasiassa siitä, että safiirikiteiden kasvuprosessi C-akselilla on kypsä, kustannukset ovat suhteellisen alhaiset, fysikaaliset ja kemialliset ominaisuudet ovat vakaat ja epitaksiatekniikka C-tasolla on kypsä ja vakaa.		Mikroelektroniikan integroiduissa piireissä käytettyjen erilaisten kerrostettujen piiekstrasystaleiden R-suuntautunut substraattikasvatus. Lisäksi nopeita integroituja piirejä ja paineantureita voidaan muodostaa myös epitaksiaalisen piikasvuston kalvon tuotantoprosessissa.R-tyypin substraattia voidaan käyttää myös lyijyn, muiden suprajohtavien komponenttien, korkearesistanssien ja galliumarsenidin valmistukseen.		Sitä käytetään pääasiassa ei-polaaristen/puolipolaaristen GaN-epitaksiaalisten kalvojen kasvattamiseen valotehokkuuden parantamiseksi.	A-suuntautunut alustaan tuottaa tasaisen permittiivisyyden/väliaineen, ja hybridimikroelektroniikkateknologiassa käytetään korkeaa eristysastetta.Korkean lämpötilan suprajohteita voidaan valmistaa A-pohjaisista pitkänomaisista kiteistä.
Käsittelykapasiteetti	Pattern Sapphire Substrate (PSS): Kasvun tai etsauksen muodossa safiirisubstraatille suunnitellaan ja valmistetaan nanomittakaavan erityisiä säännöllisiä mikrorakennekuvioita, jotka ohjaavat LEDin valontuottomuotoa ja vähentävät safiirisubstraatilla kasvavan GaN:n välisiä eroja. , parantaa epitaksian laatua ja parantaa LEDin sisäistä kvanttitehokkuutta ja lisätä valonpoiston tehokkuutta. Lisäksi safiiriprisma, peili, linssi, reikä, kartio ja muut rakenneosat voidaan räätälöidä asiakkaan vaatimusten mukaan.
Kiinteistöilmoitus	Tiheys	Kovuus	sulamispiste	Taitekerroin (näkyvä ja infrapuna)	Transmittanssi (DSP)	Dielektrisyysvakio
Kiinteistöilmoitus	3,98 g/cm3	9 (mohs)	2053℃	1,762-1,770	≥ 85 %	11.58@300K C-akselilla (9.4 A-akselilla)

Yksityiskohtainen kaavio

avcasvb (1)

avcasvb (2)

avcasvb (3)

Edellinen: 8 tuuman Lithium Niobate Wafer LiNbO3 LN kiekko

Seuraava: 2 tuumaa 50,8 mm Paksuus 0,1 mm 0,2 mm 0,43 mm Sapphire Wafer C-taso M-taso R-taso A-taso

Kirjoita viestisi tähän ja lähetä se meille

Tuoteluokat