4H-puoli HPSI 2 tuuman SiC-substraattikiekko Production Dummy Research -laatu

4H-puoli HPSI 2 tuuman SiC-substraattikiekko Production Dummy Research grade -suositeltu kuva

Lyhyt kuvaus:

2 tuuman piikarbidin yksikidealustalevy on korkean suorituskyvyn materiaali, jolla on erinomaiset fysikaaliset ja kemialliset ominaisuudet.Se on valmistettu erittäin puhtaasta piikarbidi-yksikidemateriaalista, jolla on erinomainen lämmönjohtavuus, mekaaninen stabiilisuus ja korkean lämpötilan kestävyys.Erittäin tarkan valmistusprosessin ja laadukkaiden materiaalien ansiosta tämä siru on yksi suosituimmista materiaaleista korkean suorituskyvyn elektronisten laitteiden valmistuksessa monilla aloilla.

Lähetä meille sähköpostia

Tuotetiedot

Tuotetunnisteet

Puolieristys piikarbidisubstraatti SiC kiekot

Piikarbidisubstraatti jaetaan pääasiassa johtavaan ja puolieristävään tyyppiin, johtavaa piikarbidista n-tyypin substraattia käytetään pääasiassa epitaksiaalisiin GaN-pohjaisiin LED- ja muihin optoelektronisiin laitteisiin, SiC-pohjaisiin tehoelektroniikkalaitteisiin jne., ja puoliksi eristävää piikarbidisubstraattia käytetään pääasiassa GaN-suurtehoisten radiotaajuuslaitteiden epitaksiaalisessa valmistuksessa.Lisäksi korkean puhtauden puolieristys HPSI ja SI puolieristys on erilainen, korkean puhtauden puolieristys kantaja pitoisuus 3,5 * 1013 ~ 8 * 1015/cm3 alue, jolla on korkea elektronien liikkuvuus;Puolieristys on korkean resistenssin materiaaleja, resistiivisyys on erittäin korkea, yleensä käytetään mikroaaltouunissa alustoille, ei-johtavia.

Puolieristävä piikarbidisubstraattilevy SiC kiekko

SiC:n kiderakenne määrää sen fysikaalisen, SiC:n ja GaAs:n suhteen, SiC:llä on fysikaaliset ominaisuudet;kielletty kaistanleveys on suuri, lähes 3 kertaa Si:n leveys, jotta varmistetaan, että laite toimii korkeissa lämpötiloissa pitkän aikavälin luotettavuuden alaisena;kentänvoimakkuus on korkea, on 10 kertaa Si, jotta varmistetaan, että laitteen jännitekapasiteetti parantaa laitteen jännitteen arvoa;saturaatioelektroninopeus on suuri, on 2 kertaa Si:iin verrattuna, mikä lisää laitteen taajuutta ja tehotiheyttä;lämmönjohtavuus on korkea, enemmän kuin Si, lämmönjohtavuus on korkea, lämmönjohtavuus on korkea, lämmönjohtavuus on korkea, lämmönjohtavuus on korkea, enemmän kuin Si, lämmönjohtavuus on korkea, lämmönjohtavuus on korkea.Korkea lämmönjohtavuus, yli 3 kertaa Si:iin verrattuna, mikä lisää laitteen lämmönpoistokykyä ja toteuttaa laitteen pienentämisen.