26. päivänä Power Cube Semi ilmoitti Etelä-Korean ensimmäisen 2300 V SiC (Silicon Carbide) MOSFET-puolijohteen menestyksekkäästä kehittämisestä.
Verrattuna olemassa oleviin Si (Pii) -pohjaisiin puolijohteisiin, SiC (Silicon Carbide) kestää korkeampia jännitteitä, joten sitä pidetään seuraavan sukupolven laitteena, joka johtaa tehopuolijohteiden tulevaisuuteen.Se toimii ratkaisevana osana uusimpien teknologioiden, kuten sähköajoneuvojen yleistymisen ja tekoälyn ohjaamien datakeskusten laajentamisen, käyttöönotossa.
Power Cube Semi on taruyhtiö, joka kehittää tehopuolijohdelaitteita kolmeen pääluokkaan: SiC (piikarbidi), Si (pii) ja Ga2O3 (galliumoksidi).Äskettäin yritys haki ja myi suurikapasiteettisia Schottky Barrier Diodes (SBD) -diodeja maailmanlaajuiselle sähköajoneuvoyritykselle Kiinassa, mikä sai tunnustusta puolijohdesuunnittelustaan ja -teknologiastaan.
2300V SiC MOSFETin julkaisu on huomionarvoinen ensimmäisenä tällaisena kehitystapauksena Etelä-Koreassa.Saksassa toimiva maailmanlaajuinen tehopuolijohdeyritys Infineon ilmoitti myös lanseeraavansa 2000 V tuotteensa maaliskuussa, mutta ilman 2300 V tuotevalikoimaa.
Infineonin 2000 V CoolSiC MOSFET, joka hyödyntää TO-247PLUS-4-HCC-pakettia, täyttää suunnittelijoiden suuremman tehotiheyden vaatimuksen ja varmistaa järjestelmän luotettavuuden jopa tiukoissa korkeajännite- ja kytkentätaajuusolosuhteissa.
CoolSiC MOSFET tarjoaa korkeamman tasavirtalinkkijännitteen, mikä mahdollistaa tehon lisäämisen ilman, että virta kasvaa.Se on markkinoiden ensimmäinen erillinen piikarbidilaite, jonka läpilyöntijännite on 2000 V ja jossa hyödynnetään TO-247PLUS-4-HCC-pakettia, jonka ryömintäetäisyys on 14 mm ja välys 5,4 mm.Näissä laitteissa on pienet kytkentähäviöt ja ne sopivat sovelluksiin, kuten aurinkosähköinvertterit, energian varastointijärjestelmät ja sähköajoneuvojen lataus.
CoolSiC MOSFET 2000V -tuotesarja soveltuu suurjännitteisille tasavirtaväyläjärjestelmille aina 1500V DC asti.Verrattuna 1700 V SiC MOSFETiin tämä laite tarjoaa riittävän ylijännitemarginaalin 1500 V DC järjestelmille.CoolSiC MOSFET tarjoaa 4,5 V:n kynnysjännitteen ja se on varustettu kestävillä runkodiodeilla kovaa kommutointia varten..XT-liitäntätekniikalla nämä komponentit tarjoavat erinomaisen lämpösuorituskyvyn ja vahvan kosteudenkestävyyden.
2000 V CoolSiC MOSFETin lisäksi Infineon tuo pian markkinoille täydentävät CoolSiC-diodit, jotka on pakattu 4-nastaisiin TO-247PLUS- ja TO-247-2-paketteihin vuoden 2024 kolmannella neljänneksellä ja vuoden 2024 viimeisellä neljänneksellä.Nämä diodit soveltuvat erityisen hyvin aurinkosovelluksiin.Saatavilla on myös vastaavia portin kuljettajan tuoteyhdistelmiä.
CoolSiC MOSFET 2000V -tuotesarja on nyt saatavilla markkinoilla.Lisäksi Infineon tarjoaa sopivia arviointitauluja: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.Kehittäjät voivat käyttää tätä korttia tarkana yleisenä testialustana arvioidakseen kaikkia CoolSiC MOSFETeja ja -diodeja, joiden jännite on 2000 V, sekä EiceDRIVERin kompaktin yksikanavaisen eristysportin ajuri 1ED31xx -tuotesarjan kaksoispulssi- tai jatkuvatoimisen PWM-toiminnan avulla.
Gung Shin-soo, Power Cube Semin teknologiajohtaja, totesi: "Pystyimme laajentamaan olemassa olevaa kokemuksemme 1700 V SiC MOSFETien kehittämisestä ja massatuotannosta 2300 V:iin.
Postitusaika: 08.04.2024