Piikarbidilaitteihin verrattuna galliumnitriditeholaitteilla on enemmän etuja skenaarioissa, joissa tehoa, taajuutta, tilavuutta ja muita kattavia näkökohtia vaaditaan samanaikaisesti, kuten galliumnitridipohjaisia laitteita on menestyksekkäästi käytetty pikalatauksen alalla suuressa mittakaavassa.Uusien myöhempien sovellusten puhkeamisen ja galliumnitridisubstraatin valmistustekniikan jatkuvan läpimurron myötä GaN-laitteiden määrän odotetaan kasvavan edelleen, ja niistä tulee yksi kustannusten alentamisen ja tehokkuuden sekä kestävän vihreän kehityksen avainteknologioista.
Tällä hetkellä kolmannen sukupolven puolijohdemateriaaleista on tullut tärkeä osa strategisia nousevia teollisuudenaloja, ja siitä on tulossa myös strateginen komentopiste seuraavan sukupolven tietotekniikan, energiansäästön ja päästöjen vähentämisen sekä kansallisen puolustuksen turvallisuusteknologian hyödyntämisessä.Niistä galliumnitridi (GaN) on yksi edustavimmista kolmannen sukupolven puolijohdemateriaaleista laajakaistaisena puolijohdemateriaalina, jonka kaistaväli on 3,4 eV.
Kiina tiukensi 3. heinäkuuta galliumiin ja germaniumiin liittyvien tuotteiden vientiä, mikä on tärkeä politiikkamuutos, joka perustuu galliumin, harvinaisen metallin, tärkeän ominaisuuden "puolijohdeteollisuuden uutena rakeina" ja sen laajan käyttöetujen perusteella. puolijohdemateriaalit, uusi energia ja muut kentät.Tämän politiikan muutoksen valossa tässä artikkelissa käsitellään ja analysoidaan galliumnitridiä valmistustekniikan ja haasteiden, tulevaisuuden uusien kasvupisteiden ja kilpailumallin näkökulmasta.
Lyhyt esittely:
Galliumnitridi on eräänlainen synteettinen puolijohdemateriaali, joka on tyypillinen puolijohdemateriaalien kolmannen sukupolven edustaja.Verrattuna perinteisiin piimateriaaleihin, galliumnitridillä (GaN) on suuri kaistaväli, voimakas sähkökenttä, alhainen resistanssi, korkea elektronien liikkuvuus, korkea muunnostehokkuus, korkea lämmönjohtavuus ja pieni häviö.
Galliumnitridiyksikide on uuden sukupolven puolijohdemateriaalit, joilla on erinomainen suorituskyky ja joita voidaan käyttää laajasti viestinnässä, tutkassa, kulutuselektroniikassa, autoelektroniikassa, tehoenergiassa, teollisessa laserkäsittelyssä, instrumentoinnissa ja muilla aloilla, joten sen kehitys ja massatuotanto ovat maiden ja teollisuudenalojen huomion keskipisteessä ympäri maailmaa.
GaN:n sovellus
1--5G viestintätukiasema
Langaton viestintäinfrastruktuuri on galliumnitridi-RF-laitteiden pääsovellusalue, ja sen osuus on 50 %.
2 -- Korkea teholähde
GaN:n "kaksoiskorkeus"-ominaisuudella on suuri tunkeutumispotentiaali korkean suorituskyvyn kulutuselektroniikkalaitteissa, jotka voivat täyttää nopean latauksen ja lataussuojauksen vaatimukset.
3--Uusi energiaajoneuvo
Käytännön sovelluksen näkökulmasta auton nykyiset kolmannen sukupolven puolijohdelaitteet ovat pääosin piikarbidilaitteita, mutta on olemassa sopivia galliumnitridimateriaaleja, jotka voivat läpäistä teholaitemoduulien auton sääntelyn sertifioinnin tai muut sopivat pakkausmenetelmät. koko tehdas ja OEM-valmistajat hyväksyvät edelleen.
4--Palvelukeskus
GaN-tehopuolijohteita käytetään pääasiassa datakeskusten PSU-virtalähteissä.
Yhteenvetona voidaan todeta, että uusien myöhempien sovellusten puhkeamisen ja jatkuvien läpimurtojen myötä galliumnitridisubstraatin valmistusteknologiassa GaN-laitteiden määrän odotetaan kasvavan edelleen, ja niistä tulee yksi kustannusten alentamisen, tehokkuuden ja kestävän vihreän kehityksen avainteknologioista.
Postitusaika: 27.7.2023