SiC piikarbidiLaitteella tarkoitetaan piikarbidista valmistettua laitetta raaka-aineena.
Erilaisten vastusominaisuuksien mukaan se jaetaan johtaviin piikarbiditeholaitteisiin japuolieristetty piikarbidiRF-laitteet.
Piikarbidin päälaitemuodot ja -sovellukset
Tärkeimmät edut SiC yliSi materiaalitovat:
SiC:n kaistaväli on 3 kertaa Si:n kaistaväli, mikä voi vähentää vuotoa ja lisätä lämpötilan toleranssia.
SiC:llä on 10 kertaa Si:n läpilyöntikenttävoimakkuus, se voi parantaa virrantiheyttä, toimintataajuutta, kestää jännitekapasiteettia ja vähentää päälle- ja poiskytkentähäviöitä, mikä sopii paremmin korkeajännitesovelluksiin.
SiC:llä on kaksi kertaa suurempi elektronien kyllästymisnopeus kuin Si:llä, joten se voi toimia korkeammalla taajuudella.
SiC:llä on 3 kertaa Si:n lämmönjohtavuus, parempi lämmönpoistokyky, se voi tukea suurta tehotiheyttä ja vähentää lämmönhajoamisvaatimuksia, mikä tekee laitteesta kevyemmän.
Johtava substraatti
Johtava substraatti: Poistamalla eri epäpuhtaudet kiteestä, erityisesti matalan tason epäpuhtaudet, saavuttaaksesi kiteen luontaisen korkean ominaisvastuksen.
JohtavapiikarbidisubstraattiSiC kiekko
Johtava piikarbiditeholaite kasvaa piikarbidin epitaksiaalisella kerroksella johtavalle alustalle, piikarbidin epitaksiaalista levyä käsitellään edelleen, mukaan lukien Schottky-diodien, MOSFET-, IGBT- jne., pääasiassa sähköajoneuvoissa käytettyjen, aurinkosähkötehojen tuotanto. tuotanto, rautatieliikenne, datakeskus, lataus ja muu infrastruktuuri. Suorituskyvyn edut ovat seuraavat:
Parannetut korkeapaineominaisuudet. Piikarbidin läpimurto sähkökentän voimakkuus on yli 10 kertaa piin, mikä tekee piikarbidilaitteiden korkeapainekestävyydestä huomattavasti korkeamman kuin vastaavien piilaitteiden.
Paremmat korkean lämpötilan ominaisuudet. Piikarbidilla on korkeampi lämmönjohtavuus kuin piillä, mikä helpottaa laitteen lämmönpoistoa ja korkeampaa käyttölämpötilaa. Korkean lämpötilan kestävyys voi lisätä tehotiheyttä merkittävästi ja samalla vähentää jäähdytysjärjestelmän vaatimuksia, jolloin terminaalista voi tulla kevyempi ja pienemmäksi.
Pienempi energiankulutus. ① Piikarbidilaitteella on erittäin alhainen päällekytkentävastus ja pieni on-häviö; (2) Piikarbidilaitteiden vuotovirta on huomattavasti pienempi kuin piilaitteiden, mikä vähentää tehohäviötä; ③ Piikarbidilaitteiden sammutusprosessissa ei ole nykyistä pyrstöilmiötä, ja kytkentähäviö on pieni, mikä parantaa huomattavasti käytännön sovellusten kytkentätaajuutta.
Puolieristetty SiC-substraatti
Puolieristetty SiC-substraatti: N-seostuksella ohjataan tarkasti johtavien tuotteiden ominaisvastusta kalibroimalla vastaava suhde typen seostuspitoisuuden, kasvunopeuden ja kiteen resistiivisyyden välillä.
Erittäin puhdas puolieristävä substraattimateriaali
Puolieristettyjä piihiilipohjaisia RF-laitteita valmistetaan edelleen kasvattamalla galliumnitridi-epitaksiaalikerrosta puolieristetylle piikarbidisubstraatille piinitridiepitaksiaalisen levyn valmistamiseksi, mukaan lukien HEMT ja muut galliumnitridi-RF-laitteet, joita käytetään pääasiassa 5G-viestinnässä, ajoneuvoviestinnässä, puolustussovellukset, tiedonsiirto, ilmailu.
Piikarbidi- ja galliumnitridimateriaalien kyllästettyjen elektronien ryömintänopeus on 2,0 ja 2,5 kertaa piin vastaavasti, joten piikarbidi- ja galliumnitridilaitteiden toimintataajuus on suurempi kuin perinteisten piilaitteiden. Galliumnitridimateriaalin haittana on kuitenkin huono lämmönkestävyys, kun taas piikarbidilla on hyvä lämmönkestävyys ja lämmönjohtavuus, mikä voi korvata galliumnitridilaitteiden huonon lämmönkestävyyden, joten teollisuus käyttää puolieristettyä piikarbidia alustana. , ja gan epitaksiaalinen kerros kasvatetaan piikarbidisubstraatin päälle RF-laitteiden valmistamiseksi.
Jos rikkomuksia on, ota yhteyttä poistamiseen
Postitusaika: 16.7.2024