4 tuuman puolieristävät piikarbidikiekot HPSI SiC substraatti Prime Production grade

4 tuuman puolieristävät piikarbidikiekot HPSI SiC -substraatti Prime Tuotantoluokka Esittelykuva

Lyhyt kuvaus:

4 tuuman erittäin puhdasta puolieristettyä piikarbidin kaksipuolista kiillotuslevyä käytetään pääasiassa 5G-viestinnässä ja muilla aloilla, ja sen edut parantavat radiotaajuusaluetta, ultra-pitkän matkan tunnistusta, häiriöntorjuntaa, nopeaa , suuren kapasiteetin tiedonsiirtoon ja muihin sovelluksiin, ja sitä pidetään ihanteellisena alustana mikroaaltoteholaitteiden valmistukseen.

Lähetä meille sähköpostia

Tuotetiedot

Tuotetunnisteet

Tuotteen tiedot

Piikarbidi (SiC) on yhdistepuolijohdemateriaali, joka koostuu elementeistä hiilestä ja piistä, ja se on yksi ihanteellisista materiaaleista korkean lämpötilan, korkeataajuisten, suuritehoisten ja suurjännitelaitteiden valmistukseen.Perinteiseen piimateriaaliin (Si) verrattuna piikarbidin kielletty kaistanleveys on kolme kertaa piin leveys;lämmönjohtavuus on 4-5 kertaa piin lämmönjohtavuus;läpilyöntijännite on 8-10 kertaa piin jännite;ja elektronien kyllästymisnopeus on 2-3 kertaa piin verrattuna, mikä täyttää nykyaikaisen teollisuuden tarpeet suuren tehon, korkean jännitteen ja korkeataajuisen tekniikan osalta, ja sitä käytetään pääasiassa nopeiden, korkean taajuus, suuritehoiset ja valoa lähettävät elektroniset komponentit, ja sen loppupään sovellusalueita ovat älyverkko, uudet energiaajoneuvot, aurinkosähkö tuulivoima, 5G-viestintä jne. Teholaitteiden alalla piikarbididiodeja ja MOSFETejä on alettu levittää. kaupallisesti sovellettu.

SiC-kiekkojen/SiC-substraatin edut

Korkean lämpötilan kestävyys.Piikarbidin kielletty kaistanleveys on 2-3 kertaa piin leveys, joten elektronit eivät todennäköisesti hyppää korkeissa lämpötiloissa ja kestävät korkeampia käyttölämpötiloja, ja piikarbidin lämmönjohtavuus on 4-5 kertaa piin lämmönjohtavuus. on helpompi hajauttaa lämpöä laitteesta ja mahdollistaa korkeamman rajoittavan käyttölämpötilan.Korkean lämpötilan ominaisuudet voivat lisätä tehotiheyttä merkittävästi ja samalla vähentää lämmönpoistojärjestelmän vaatimuksia tehden terminaalista kevyemmän ja pienemmän.

Korkea jännitevastus.Piikarbidin läpilyöntikentän voimakkuus on 10 kertaa piin läpilyöntikentän voimakkuus, minkä ansiosta se kestää korkeampia jännitteitä, joten se soveltuu paremmin suurjännitelaitteisiin.

Korkeataajuinen vastus.Piikarbidilla on kaksi kertaa piin kyllästyselektroniryömintänopeus, mikä johtaa sen laitteiden sammutusprosessiin ei ole olemassa nykyisessä vedä ilmiössä, voi tehokkaasti parantaa laitteen kytkentätaajuutta, saavuttaa laitteen pienentämisen.

Pieni energiahäviö.Piikarbidilla on erittäin alhainen on-resistanssi piimateriaaleihin verrattuna, alhainen johtavuushäviö;samalla piikarbidin suuri kaistanleveys vähentää merkittävästi vuotovirtaa, tehohäviötä;Lisäksi piikarbidi laitteet sammutusprosessissa ei ole olemassa nykyisen vedä ilmiö, alhainen kytkentähäviö.