6 tuuman HPSI SiC -substraattikiekot piikarbidi puolieristävät piikarbidikiekot

Nykyiset piikarbidin yksikiteiden kasvatusmenetelmät sisältävät pääasiassa seuraavat kolme: nestefaasimenetelmä, korkean lämpötilan kemiallinen höyrypinnoitusmenetelmä ja fyysinen höyryfaasikuljetusmenetelmä (PVT).Niistä PVT-menetelmä on tutkituin ja kypsin teknologia piikarbidin yksikiteiden kasvattamiseen, ja sen tekniset vaikeudet ovat:

(1) SiC yksikide korkeassa 2300 °C:n lämpötilassa suljetun grafiittikammion yläpuolella "kiinteä - kaasu - kiinteä" -konversion uudelleenkiteytysprosessin loppuunsaattamiseksi, kasvusykli on pitkä, vaikeasti hallittavissa ja altis mikrotubuleille, inkluusioille ja muita vikoja.

(2) Piikarbidin yksikide, mukaan lukien yli 200 erilaista kidetyyppiä, mutta yleensä vain yhden kidetyypin tuotanto, helppo tuottaa kidetyyppinen muunnos kasvuprosessissa, mikä johtaa usean tyyppisiin sulkeumavirheisiin, yhden kidetyypin valmistusprosessi tiettyä kidetyyppiä on vaikea hallita prosessin stabiilisuutta, esimerkiksi 4H-tyypin nykyinen valtavirta.

(3) Piikarbidin yksikiteisen kasvun lämpökentässä on lämpötilagradientti, jolloin kiteen kasvuprosessissa on natiivi sisäinen jännitys ja siitä aiheutuvat sijoitukset, viat ja muut viat.

(4) Piikarbidin yksikiteisen kasvatusprosessin on valvottava tiukasti ulkoisten epäpuhtauksien sisäänpääsyä, jotta saadaan erittäin puhdas puolieristyskide tai suunnattu seostettu johtava kide.RF-laitteissa käytettävien puolieristävien piikarbidisubstraattien sähköiset ominaisuudet on saavutettava säätämällä erittäin alhaista epäpuhtauspitoisuutta ja tietyntyyppisiä pistevikoja kiteessä.